无线充电用N+NMOS管30H04 PDFN3X3-8L 贴片小封装国产MOS管 40V/30A
无线充电用N+NMOS管30H04的应用领域:
无线充电
无刷马达
无线充电用N+NMOS管30H04的最大额定值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 40 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 30 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | 21 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 36 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 31 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | 25 | A |
PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.9 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 8 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
无线充电用N+NMOS管30H04的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 44 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A | 11 | 14 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 13 | 18 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 10.7 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.2 | |||
Ciss | 输入电容 | 1314 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 120 | |||
Crss | 反向传输电容 | 88 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 8.6 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 3.4 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 24.8 | |||
tf | 开启下降时间 | 2.2 |