20VN+N沟道MOSFET 20H02 SOP-8 贴片低压场效应管 MOSFET选型
20VN+N沟道MOSFET 20H02的主要参数：
VDS=20V
ID=20A
RDS(ON)＜8.5mΩ@VGS=4.5V
20VN+N沟道MOSFET 20H02的应用领域：
3.3V MCU驱动器
负载开关
不间断电源 UPS
20VN+N沟道MOSFET 20H02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 20 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 13 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 60 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 147.6 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+175 |
20VN+N沟道MOSFET 20H02的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 24 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=25A | 6.2 | 8.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=10A | 8.8 | 13 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.4 | 0.7 | 1.1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1458 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 238 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 212 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 21 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 39 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
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