800V高压CoolMOS管12N80 TO-220F 电源MOS管 塑封插件MOSFET
800V高压CoolMOS管12N80的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 800 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 12 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 12 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 225 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 25.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
800V高压CoolMOS管12N80的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 800 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A,TJ=25℃ | 800 | 900 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A,TJ=150℃ | 2000 | 5000 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2.5 | 3.5 | 4.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.97 | |||
| Ciss | 输入电容 | 541 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 31.6 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 1.33 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 22.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 64.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 28.2 |
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