UPS应用NMOS管 18N50 TO-220F 国内MOSFET替换 500V高压NMOS管
UPS应用NMOS管 18N50的主要参数:
VDS=500V
ID=18A
RDS(ON)<350mΩ@VGS=10V(Type:280mΩ)
UPS应用NMOS管 18N50的应用领域:
不间断电源 UPS
功率矫正因素 PFC
UPS应用NMOS管 18N50的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 500 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
ID | 漏极电流-连续 | 18 | A |
IDM | 漏极电流-脉冲 | 65 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 405 | mJ |
IAR | 雪崩电流 | 16 | A |
EAR | 重复雪崩能量 | 5 | mJ |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 29.8 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳热阻 | 3.92 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
UPS应用NMOS管 18N50的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A,TJ=25℃ | 280 | 350 | mΩ | |
VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 5 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 31 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 13 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 9 | |||
Ciss | 输入电容 | 1670 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 247 | |||
Crss | 反向传输电容 | 6.8 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 27 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 45 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 61 | |||
tf | 开启下降时间 | 38 |