电源管理用NMOS管 100N20 TO-247 MOSFET大全 低内阻MOS管选型
电源管理用NMOS管 100N20的应用领域：
负载开关
PWM 应用
电源管理
电源管理用NMOS管 100N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 100 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 52 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 300 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 300 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 45 | A |
| PD | 总耗散功率 | 375 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳热阻 | 0.45 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
电源管理用NMOS管 100N20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | 220 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 17 | 20 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3.6 | 4.5 | 5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 85 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 15 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 25 | |||
| Ciss | 输入电容 | 7500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 500 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 210 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 45 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 70 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 110 | |||
| tf | 开启下降时间 | 90 |
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