电源用国产MOS管40N20 TO-220F 塑封通用MOSFET 200V/40A MOS场效应管
电源用国产MOS管40N20的应用领域:
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
电源用国产MOS管40N20的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
ID | 漏极电流-连续 | 40 | A |
IDM | 漏极电流-脉冲 | 112 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 588 | mJ |
IAR | 雪崩电流 | 28 | A |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 158 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳热阻 | 0.79 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
电源用国产MOS管40N20的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=14A | 52 | 65 | mΩ | |
VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 103 | 136 | nC | |
Qgs | 栅源电荷密度 | 16 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 53 | |||
Ciss | 输入电容 | 2879 | 3742 | pF | |
Coss | 输出电容 | 362 | 470 | ||
Crss | 反向传输电容 | 81 | 105 | ||
td(on) | 开启延迟时间 | 28 | 69 | ns | |
tr | 开启上升时间 | 251 | 494 | ||
td(off) | 关断延迟时间 | 309 | 617 | ||
tf | 开启下降时间 | 220 | 412 |