国产中低压MOS管200N12 TO-220电源用MOSFET 增强型MOS管
国产中低压MOS管200N12的应用：
BMS
UPS
电源管理
国产中低压MOS管200N12的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 120 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 200 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 150 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 600 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 530 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 45 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 240 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 0.75 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 62 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
国产中低压MOS管200N12的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | 135 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 3.7 | 4.2 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=6V,ID=20A | 4.3 | 5.8 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 75 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5240 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 739 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 12 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 59 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 41 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 96 | |||
| tf | 开启下降时间 | 33 |
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