低压塑封NMOS管15N10 TO-220F 汽车照明用MOSFET N型MOS管
低压塑封NMOS管15N10的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 15 | A |
漏极电流-连续(TC=100℃) | 7.5 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 45 | |
PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 30 | W |
总耗散功率(TA=25℃) | 2.7 | ||
RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 5.1 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压塑封NMOS管15N10的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 107 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 72 | 100 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 88 | 110 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 2 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 11.9 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.7 | |||
Ciss | 输入电容 | 1100 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 55 | |||
Crss | 反向传输电容 | 40 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 3.8 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 25.8 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 16 | |||
tf | 开启下降时间 | 8.8 |