N沟道低压MOS管FIR20N10LG TO-252 100V增强型场效应管
N沟道低压MOS管FIR20N10LG的极限值：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
漏极电流-连续 | ID | 20 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 12 | ||
| 漏记电流-脉冲 | IDM | 60 | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 250 | mJ |
| 功耗 | PD | 55 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
N沟道低压MOS管FIR20N10LG电特性：
（如无特殊说明，TC=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | 110 | V | |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 56 | 70 | mΩ | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1350 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 240 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 180 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V | 13.8 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 9.3 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 43.8 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 11.4 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=30V,ID=3A,VGS=10V | 31 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 6.4 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 9.4 |
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