高压MOS管FIR13N50FGTO-220F 500V/13A塑封N沟道MOS管
高压MOS管 FIR13N50FG的特点：
快速切换
低门极电荷
低反向传输电容
高压MOS管 FIR13N50FG的应用：
适配器和充电器的电源开关电路
高压MOS管 FIR13N50FG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
| 漏极电流-连续 | ID | 13 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 12.7 | A |
| 功耗 | PD | 150 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 |
高压MOS管 FIR13N50FG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=500V,VGS=0V,Ta=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=400V,VGS=0V,Ta=125℃ | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=6.5A | 0.4 | 0.5 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2000 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 190 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 10 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=250V,ID=13A,VGS=10V,RG=6.1Ω | 20 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 50 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 70 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 45 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=400V,ID=13A,VGS=10V | 90 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 15 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 45 |
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