贴片NMOS管 10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET 国产场效应管
贴片NMOS管 10N03的主要特点：
VDS=30V
ID=10A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V(Type：17mΩ)
封装形式：SOT89-3L
贴片NMOS管 10N03的应用领域：
锂电池保护
手机快充
贴片NMOS管 10N03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：10A
漏极电流-脉冲 IDM：30A
总耗散功率 PD：1W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：85℃/W
贴片NMOS管 10N03的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5.8A | 17 | 20 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 25 | 32 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 860 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 84 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 70 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 47 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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