4mΩ 85VN沟道MOS 120N08 PDFN5X6-8L 开关用场效应管 常用替代MOS
85VN沟道MOS 120N08的产品特点：
VDS=85V
ID=120A
RDS(ON)＜4mΩ@VGS=10V(Type：3.2mΩ)
封装PDFN5X6-8L
85VN沟道MOS 120N08的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
85VN沟道MOS 120N08的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：85V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：480A
单脉冲雪崩能量 EAS：320mJ
总耗散功率 PD：122.5W
结到环境的热阻 RθJA：25℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.02℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
85VN沟道MOS 120N08的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 85 | 95 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 3.2 | 4 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 75 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 78.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 19.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 17 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5235 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 985 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 58 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 34 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.2 |
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