大电流NMOS管 120N02 TO-252 3mΩ 低内阻 UPS用场效应管 MOSFET参数
大电流NMOS管 120N02的产品特点：
VDS=20V
ID=120A
RDS(ON)＜3mΩ@VGS=4.5V(Type：2.1mΩ)
封装：TO-252
大电流NMOS管 120N02的应用领域：
锂电保护
负载开关
UPS 不间断电源
大电流NMOS管 120N02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：360A
单脉冲雪崩能量 EAS：110mJ
总耗散功率 PD：83W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.85℃/W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
大电流NMOS管 120N02的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=30A | 2.1 | 3.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=20A | 3.2 | 4 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 48 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4307 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 501 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 321 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 37 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 63 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
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