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100P04 TO-252 -40V/-100A 低压PMOS管
100P04 TO-252 -40V/-100A 低压PMOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100P04
产品封装:TO-252
产品标题:宇芯微 5.8mΩ 100P04 TO-252 -40V/-100A 低压PMOS管 锂电池场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 5.8mΩ 100P04 TO-252 -40V/-100A 低压PMOS管 锂电池场效应管



低压PMOS管 100P04的产品特点:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



低压PMOS管 100P04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-100A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-300A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:400mJ

  • 雪崩电流 IAS:-50A

  • 总耗散功率 PD:52.1W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:62.5℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.8℃/W



低压PMOS管 100P04的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-40-44
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-20A


4.65.8

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


69
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.8-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
120
nC
Qgs栅源电荷密度
23
Qgd栅漏电荷密度
29
Ciss输入电容
7000
pF
Coss输出电容
950
Crss反向传输电容
735
td(on)开启延迟时间
18
ns
tr开启上升时间
12
td(off)关断延迟时间
80
tf
开启下降时间
20

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