PMOS国产替换 80P10 TO-252 -100V 马达用PMOS管 MOSFET选型
马达用PMOS管 80P10的产品特点：
VDS=-100V
ID=-80A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V(Type：20mΩ)
封装：TO-252
马达用PMOS管 80P10的应用领域：
马达
UPS 不间断电源
马达用PMOS管 80P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-80A
漏极电流-脉冲 IDM：-300A
单脉冲雪崩能量 EAS：174mJ
雪崩电流 IAS：-50A
总耗散功率 PD：280W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：0.65℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
马达用PMOS管 80P10的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 20 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 25 | 30 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 15.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 17.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4230 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 388 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 26 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 26 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 78 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 200 | |||
| tf | 开启下降时间 | 210 |
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