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宇芯微 替代MOSFET 70N12 TO-252 马达用120VNMOS 13mΩ 中压场效应管

马达用120VNMOS 70N12的产品特点：

• V_DS=120V

• I_D=70A

• R_DS(ON)＜13mΩ@V_GS=10V(Type：10mΩ)

• 封装：TO-252

马达用120VNMOS 70N12的应用领域：

• 手机快充

• 无刷马达

• 家用电器控制板
  

马达用120VNMOS 70N12的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：120V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：70A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：150A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：53.8mJ

• 总耗散功率 P_D：140W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：0.89℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

马达用120VNMOS 70N12的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)