60V双NMOS 70H06 PDFN5X6-8L N+N 低压MOS管 国内场效应管
60V双NMOS 70H06的产品特点：
VDS=60V
ID=70A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：7.5mΩ)
封装：PDFN5X6-8L
60V双NMOS 70H06的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
60V双NMOS 70H06的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：70A
漏极电流-脉冲 IDM：280A
单脉冲雪崩能量 EAS：30mJ
总耗散功率 PD：60W
结到环境的热阻 RθJA：25℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.1℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
60V双NMOS 70H06的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 68 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 7.5 | 10 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10 | 13 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 18.4 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1182.1 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 199.5 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 4.1 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 34.9 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5.5 |
扫二维码进入手机网站