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60N25 TO-220 电机用N沟道MOS
60N25 TO-220 电机用N沟道MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60N25
产品封装:TO-220
产品标题:宇芯微 33mΩ 60N25 TO-220 电机用N沟道MOS MOSFET应用
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 33mΩ 60N25 TO-220 电机用N沟道MOS MOSFET应用



电机用N沟道MOS 60N25的产品特点:

  • VDS=250V

  • ID=60A

  • RDS(ON)<33mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)

  • 封装:TO-220



电机用N沟道MOS 60N25的应用领域:

  • UPS

  • BLDC



电机用N沟道MOS 60N25的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压250
V
VGS栅极-源极电压±30
ID

漏极电流-连续 TA=25℃

60A
漏极电流-连续 TA=100℃40
IDM漏极电流-脉冲230
EAS单脉冲雪崩能量
300mJ
IAR雪崩电流45A
PD总耗散功率360W
RθJA结到环境的热阻60℃/W
RθJC结到管壳热阻0.45
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



电机用N沟道MOS 60N25的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压250

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=35A


2833
VGS(th)
栅极开启电压3.6
5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
200
nC
Qgs栅源电荷密度

28
Qgd栅漏电荷密度
60
Ciss输入电容
7000
pF
Coss输出电容
480
Crss反向传输电容
210
td(on)开启延迟时间
45
ns
tr开启上升时间

70


td(off)关断延迟时间
110
tf
开启下降时间
90


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