宇芯微 33mΩ 60N25 TO-220 电机用N沟道MOS MOSFET应用
电机用N沟道MOS 60N25的产品特点:
VDS=250V
ID=60A
RDS(ON)<33mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)
封装:TO-220
电机用N沟道MOS 60N25的应用领域:
UPS
BLDC
电机用N沟道MOS 60N25的极限参数:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 250 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 60 | A |
漏极电流-连续 TA=100℃ | 40 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 230 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 300 | mJ |
IAR | 雪崩电流 | 45 | A |
PD | 总耗散功率 | 360 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 60 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳热阻 | 0.45 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
电机用N沟道MOS 60N25的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 250 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=35A | 28 | 33 | mΩ | |
VGS(th) | 栅极开启电压 | 3.6 | 5 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 200 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 28 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 60 | |||
Ciss | 输入电容 | 7000 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 480 | |||
Crss | 反向传输电容 | 210 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 45 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 70 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 110 | |||
tf | 开启下降时间 | 90 |