18mΩ 低内阻场效应管 40P04 TO-252 -40V P沟道MOS管 电池保护MOS
电池保护MOS 40P04的特点:
VDS=-40V
ID=-40A
RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V(Type:15mΩ)
TO-252
电池保护MOS 40P04的应用:
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
电池保护MOS 40P04的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -40 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -40 | A |
漏极电流-连续(TC=100℃) | -23 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | -120 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 125 | mJ |
PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 25 | W |
总耗散功率(TA=25℃) | 16 | ||
RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
电池保护MOS 40P04的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -44 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 15 | 18 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 18 | 25 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 11 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 9.5 | |||
Ciss | 输入电容 | 2760 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 260 | |||
Crss | 反向传输电容 | 85 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 48 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 24 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 88 | |||
tf | 开启下降时间 | 9.6 |