马达用N+N场效应管 100V双NMOS 40H10 PDFN5X6-8L 中压替代MOS
100V双NMOS 40H10的电特性:
VDS=100V
ID=40A
RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:14mΩ)
封装:PDFN5X6-8L
100V双NMOS 40H10的应用领域:
消费类电子电源
电机控制
100V双NMOS 40H10的极限参数:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 40 | A |
IDM | 漏极电流-脉冲 | 120 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 57 | mJ |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 71 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.76 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
100V双NMOS 40H10的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 107 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 14 | 20 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 18 | 25 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | uA | ||
Qg | 栅极电荷 | 16.2 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.1 | |||
Ciss | 输入电容 | 1003.9 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 185.4 | |||
Crss | 反向传输电容 | 9.8 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 16.6 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 3.8 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 75.5 | |||
tf | 开启下降时间 | 46 |