常用MOSFET 25N04 SOP-8 7mΩ 超低内阻NMOS管 贴片低压MOS
常用MOSFET 25N04的产品特点：
VDS=40V
ID=25A
RDS(ON)＜7mΩ@VGS=10V(Type：5.5mΩ)
封装：SOP-8
常用MOSFET 25N04的产品应用：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
常用MOSFET 25N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：25.5A
漏极电流-脉冲 IDM：75A
单脉冲雪崩能量 EAS：176mJ
雪崩电流 IAS：39A
总耗散功率 PD：1.5W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：28℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
常用MOSFET 25N04的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 5.5 | 7.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=8A | 6.5 | 10 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 18.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2332 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 193 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 138 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 2.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 77 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4.8 |
扫二维码进入手机网站