12mΩ 低内阻MOS 20H03 PDFN5X6-8L N+N沟道MOS管 快充用场效应管
低内阻MOS 20H03的特点：
VDS=30V
ID=24.7A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：8.5mΩ)
PDFN5X6-8L
低内阻MOS 20H03的应用领域：
锂电池保护
手机快充
低内阻MOS 20H03的管脚图：
低内阻MOS 20H03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：24.7A
漏极电流-脉冲 IDM：92A
单脉冲雪崩能量 EAS：57.8mJ
雪崩电流 IAS：13A
总耗散功率 PD：19.2W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：6.5℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低内阻MOS 20H03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 8.5 | 12 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 11.5 | 16.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.82 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.24 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.54 | |||
| Ciss | 输入电容 | 896 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 126 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 108 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 39 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 21 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4.7 |
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