中压PMOS管 13P20 TO-252 电动机用MOS管 -200V/-13A 常用PMOS管
中压PMOS管 13P20的产品特点:
VDS=-200V
ID=-13A
RDS(ON)<0.42Ω@VGS=-10V
封装:TO-252
中压PMOS管 13P20的应用领域:
功率放大器
电动机
中压PMOS管 13P20的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -200 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -13 | A |
漏极电流-连续(TC=100℃) | -7.2 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | -52 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 750 | mJ |
PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 125 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 1 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
中压PMOS管 13P20的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -200 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-5.5A | 0.34 | 0.42 | Ω | |
VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -4 | V | |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 44 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 7.1 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 27 | |||
Ciss | 输入电容 | 1200 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 370 | |||
Crss | 反向传输电容 | 81 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 14 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 43 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 39 | |||
tf | 开启下降时间 | 38 |