10N06 SOT223-3L 60V低压NMOS管 MOSFET应用 小封装场效应管
60V低压NMOS管 10N06的产品特点：
VDS=60V
ID=10A
RDS(ON)＜36mΩ@VGS=10V(Type：28mΩ)
封装：SOT223-3L
60V低压NMOS管 10N06的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：10A
漏极电流-脉冲 IDM：30A
总耗散功率 PD：31.3W
单脉冲雪崩能量 EAS：22mJ
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：4℃/W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
60V低压NMOS管 10N06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 28 | 36 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 38 | 45 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 25.3 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1027 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 65 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 46 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 16.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 21.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5.6 |
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