20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低内阻NMOS管 汽车照明MOS管
低内阻NMOS管 10N04的产品特点：
VDS=40V
ID=10A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V(Type：15mΩ)
封装：SOT223-3L
低内阻NMOS管 10N04的产品应用：
汽车照明
负载开关
UPS 不间断电源
低内阻NMOS管 10N04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：10A
漏极电流-脉冲 IDM：50A
总耗散功率 PD：1.9W
单脉冲雪崩能量 EAS：31mJ
雪崩电流 IAS：25A
结到环境的热阻 RθJA：65℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低内阻NMOS管 10N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=7A | 15 | 20 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 32 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1013 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 107 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 76 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 40.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 22.8 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.4 |
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