100V/12A 中压场效应管 10H10 SOP-8 双N沟道MOS管 快充用MOSFET
快充用MOSFET 10H10的特点：
VDS=100V
ID=12A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=10V(Type：72mΩ)
封装：SOP-8
快充用MOSFET 10H10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：12A
漏极电流-脉冲 IDM：36A
总耗散功率 PD：1.5W
单脉冲雪崩能量 EAS：6.1mJ
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：5.1℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
快充用MOSFET 10H10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 72 | 100 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 2 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 14 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 55 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 40 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 3.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 25.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 16 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8.8 |
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