替代MOSFET 9N20 TO-220 插件中压MOS管 200V/9A UPS电源MOS管
替代MOSFET 9N20的特点：
VDS=200V
ID=9A
RDS(ON)＜300mΩ@VGS=10V(Type：230mΩ)
封装：TO-220
替代MOSFET 9N20的应用领域：
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
替代MOSFET 9N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 9 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 36 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 100 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 7.5 | A |
| PD | 总耗散功率 | 74 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.7 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
替代MOSFET 9N20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | 222 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4.5A | 0.23 | 0.3 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 23 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 10 | |||
| Ciss | 输入电容 | 684 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 103 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 37 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 22 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 50 | |||
| tf | 开启下降时间 | 48 |
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