低压双PMOS管 8V06 SOP-8 -60V/-8A P+P场效应管 电源MOSFET
低压双PMOS管 8V06的引脚配置图：
低压双PMOS管 8V06的特点：
VDS=-60V
ID=-8A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=-10V(Type：60mΩ)
封装：SOP-8
低压双PMOS管 8V06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-8A
漏极电流-脉冲 IDM：-30A
总耗散功率 PD：1.5W
结到环境的热阻 RθJA：70℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：36℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低压双PMOS管 8V06的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-12A | 60 | 80 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 64 | 105 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.86 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.08 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.95 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1447 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 97.3 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 70 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 19.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 60.8 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7.2 |
扫二维码进入手机网站