150VPMOS管 7P15 TO-252 马达用场效应管 国产中压MOS
150VPMOS管 7P15的引脚图：
150VPMOS管 7P15的产品特点：
VDS=-150V
ID=-7A
RDS(ON)＜780mΩ@VGS=-10V(Type：620mΩ)
封装：TO-252
150VPMOS管 7P15的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-150V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-7A
漏极电流-脉冲 IDM：-28A
单脉冲雪崩能量 EAS：56.5mJ
雪崩电流 IAS：-5A
总耗散功率 PD：2W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：40℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
150VPMOS管 7P15的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -150 | -168 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-1A | 620 | 780 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-6V,ID=-0.5A | 700 | 980 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 706 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 23 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 13 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 21 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 16 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 40 | |||
| tf | 开启下降时间 | 18 |
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