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6N06 SOT23-6 60VN沟道MOS
6N06 SOT23-6 60VN沟道MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:6N06
产品封装:SOT23-6
产品标题:40mΩ 国产替换MOS 6N06 SOT23-6 60VN沟道MOS LED用MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


40mΩ 国产替换MOS 6N06 SOT23-6 60VN沟道MOS LED用MOS管



LED用MOS管 6N06的引脚图:

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LED用MOS管 6N06的特点:

  • VDS=60V

  • ID=6A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V(Type:36mΩ)

  • 封装:SOT23-6



LED用MOS管 6N06的极限值:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:6A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:18A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:22mJ

  • 总耗散功率 PD:2W

  • 结到环境的热阻 RθJA:125℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~175℃

  • 工作结温 TJ:-55~175℃



LED用MOS管 6N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


3640
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


4048
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

2.5
Qgd栅漏电荷密度
5
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
2.8
ns
tr开启上升时间

16.6


td(off)关断延迟时间
21.2
tf
开启下降时间
5.6


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