40mΩ 国产替换MOS 6N06 SOT23-6 60VN沟道MOS LED用MOS管
LED用MOS管 6N06的引脚图:
LED用MOS管 6N06的特点:
VDS=60V
ID=6A
RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V(Type:36mΩ)
封装:SOT23-6
LED用MOS管 6N06的极限值:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS:60V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:6A
漏极电流-脉冲 IDM:18A
单脉冲雪崩能量 EAS:22mJ
总耗散功率 PD:2W
结到环境的热阻 RθJA:125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W
存储温度 TSTG:-55~175℃
工作结温 TJ:-55~175℃
LED用MOS管 6N06的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 65 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 36 | 40 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 40 | 48 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 5 | |||
Ciss | 输入电容 | 1027 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 65 | |||
Crss | 反向传输电容 | 46 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 2.8 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 16.6 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 21.2 | |||
tf | 开启下降时间 | 5.6 |