30VN+PMOS 6G03 SOT23-6 低内阻场效应管 国产功率MOS
30VN+PMOS 6G03的引脚图：
30VN+PMOS 6G03的极限值：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=6.8A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-5.8A
RDS(ON)＜52mΩ@VGS=-10V(Type：42mΩ)
30VN+PMOS 6G03的应用领域：
BLDC（无刷直流电机）
30VN+PMOS 6G03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 6.8 | -5.8 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 3.8 | -3 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 52 | -40 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 22 | 22 | mJ |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 105 | 105 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 36 | 36 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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