宇芯微 200V场效应管 4N20 SOT23-3L 3.8A 中压NMOS管
200V场效应管 4N20的特点：
VDS=200V
ID=3.8A
RDS(ON)＜580mΩ@VGS=10V(Type：450mΩ)
SOT23-3L
200V场效应管 4N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：200V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：3.8A
漏极电流-脉冲 IDM：10A
总耗散功率 PD：2W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：3.9℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
200V场效应管 4N20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | 230 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A | 450 | 580 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=1A | 680 | 850 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 2 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 900 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 130 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 4.6 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 34 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45 | |||
| tf | 开启下降时间 | 11 |
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