4N06 SOT-23 60V低压NMOS 场效应管选型 MOSFET价格
60V低压NMOS 4N06的的特点：
VDS=60V
ID=4A
RDS(ON)＜85mΩ@VGS=10V(Type：62mΩ)
封装：SOT-23
60V低压NMOS 4N06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 4 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 2.1 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 20 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 11 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 15 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 42 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
60V低压NMOS 4N06的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 66 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3A | 62 | 85 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=2A | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.9 | 1.3 | 2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
栅极漏电流 VGS=±10V,VDS=0V | ±50 | ||||
| Qg | 栅极电荷 | 10.27 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.65 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 409 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 50 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 41 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 3.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 17.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 13 | |||
| tf | 开启下降时间 | 23 |
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