低压MOS选型 3P06 SOT-23 -60V/-2.8A 小电流PMOS管 电源场效应管
低压MOS选型 3P06的产品特点:
VDS=-60V
ID=-2.8A
RDS(ON)<200mΩ@VGS=10V(Type:165mΩ)
封装:SOT-23
低压MOS选型 3P06的应用场合:
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
低压MOS选型 3P06的极限参数:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:-60V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:-2.8A
漏极电流-脉冲 IDM:-8.4A
总耗散功率 PD:1.5W
结到环境的热阻 RθJA:125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC:80℃/W
存储温度 TSTG:-55~150℃
工作结温 TJ:-55~150℃
低压MOS选型 3P06的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -67 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-1.5A | 165 | 200 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-1A | 200 | 250 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 4.6 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 1.4 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.62 | |||
Ciss | 输入电容 | 453 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 59 | |||
Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 17.4 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 5.4 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 37.2 | |||
tf | 开启下降时间 | 2.4 |