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3P06 SOT-23 -60V/-2.8A 小电流PMOS管
3P06 SOT-23 -60V/-2.8A 小电流PMOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:3P06
产品封装:SOT-23
产品标题:低压MOS选型 3P06 SOT-23 -60V/-2.8A 小电流PMOS管 电源场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压MOS选型 3P06 SOT-23 -60V/-2.8A 小电流PMOS管 电源场效应管



低压MOS选型 3P06的产品特点:

  • VDS=-60V

  • ID=-2.8A

  • RDS(ON)<200mΩ@VGS=10V(Type:165mΩ)

  • 封装:SOT-23



低压MOS选型 3P06的应用场合:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



低压MOS选型 3P06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-2.8A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-8.4A

  • 总耗散功率 PD:1.5W

  • 结到环境的热阻 RθJA:125℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:80℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



低压MOS选型 3P06的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60-67
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-1.5A


165200
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-1A


200250
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.7-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
4.6
nC
Qgs栅源电荷密度

1.4
Qgd栅漏电荷密度
1.62
Ciss输入电容
453
pF
Coss输出电容
59
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
17.4
ns
tr开启上升时间

5.4


td(off)关断延迟时间
37.2
tf
开启下降时间
2.4


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