低压MOS 3G03 SOT23-6 30V N+P沟道MOS 常用场效应管
N+P沟道MOS 3G03的管脚配置图：
N+P沟道MOS 3G03的特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=3.8A
RDS(ON)＜60mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-3.2A
RDS(ON)＜120mΩ@VGS=10V
N+P沟道MOS 3G03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 3.8 | -3.2 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 30 | -30 | |
| PD | 总耗散功率 | 1.15 | 1.15 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | 125 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | 150 | 150 | |
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