60V N+P沟道MOS管 10G06 SOP-8 马达用MOS管 低压场效应管
N+P沟道MOS管 10G06的产品特点:
1、N-CH:
VDS=60V
ID=12.5A
RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V
2、P-CH:
VDS=-60V
ID=-9.7A
RDS(ON)<70mΩ@VGS=-10V
N+P沟道MOS管 10G06的引脚配置图:
N+P沟道MOS管 10G06的极限参数:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
N-CH | P-CH | |||
VDS | 漏极-源极电压 | 60 | -60 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 12.5 | -9.7 | A |
漏极电流-连续 (TA=70℃) | 5.8 | -5 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 37.5 | -22.5 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 25.5 | 35.3 | mJ |
IAS | 单脉冲雪崩电流 | 22.6 | -26.6 | A |
PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 |