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10H06 SOP-8 60V双NMOS
10H06 SOP-8 60V双NMOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:10H06
产品封装:SOP-8
产品标题:10H06 SOP-8 60V双NMOS 电池保护MOS管 场效应管选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


10H06 SOP-8 60V双NMOS 电池保护MOS管 场效应管选型



60V双NMOS 10H06的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



60V双NMOS 10H06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:10A

  • 漏极电流-连续(TC=100℃) ID:5.6A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:32A

  • 总耗散功率 PD:2.1W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:60℃/W



60V双NMOS 10H06的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=8A


15.620
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=8A


2028
VGS(th)
栅极开启电压11.62.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
38.5
nC
Qgs栅源电荷密度

4.7


Qgd栅漏电荷密度
10.3
Ciss输入电容
1600
pF
Coss输出电容
112
Crss反向传输电容
98
td(on)开启延迟时间
7
ns
tr开启上升时间

5.5


td(off)关断延迟时间
29
tf
开启下降时间
4.5


10H06 SOP-8 60V双NMOS 电池保护MOS管 场效应管选型


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