MOS管选型 50P10 TO-263 50V贴片PMOS 低内阻 功率MOSFET
功率MOSFET 50P10的应用领域：
无刷马达
负载开关
UPS 不间断电源
功率MOSFET 50P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -50 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -28 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -150 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 87 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -35 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 140 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.1 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
功率MOSFET 50P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 40 | 52 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 44 | 62 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2120 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 194 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 13 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 39 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100.1 | |||
| tf | 开启下降时间 | 105.3 |
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