宇芯微 100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L MOS管引脚排列
N型MOSFET 40N10的产品特点：
VDS=100V
ID=40A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V(Type：14mΩ)
封装：PDFN3X3-8L
N型MOSFET 40N10的产品应用：
消费电子电源
电极控制
同步整流
N型MOSFET 40N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：40A
漏极电流-脉冲 IDM：120A
单脉冲雪崩能量 EAS：57mJ
总耗散功率 PD：71W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.76℃/W
N型MOSFET 40N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 14 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 18 | 30 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 16.2 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1003.9 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 185.4 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 9.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 16.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 75.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 46 |
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