场效应管报价 国产NMOS管 160N10 TO-220 大电流低内阻MOS
国产NMOS管 160N10的产品特点：
VDS=100V
ID=160A
RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V(Type：3.7mΩ)
封装：TO-220
国产NMOS管 160N10的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
国产NMOS管 160N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 160 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 105 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 600 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 540 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 60 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 225 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 0.55 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 62 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
国产NMOS管 160N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 110 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=80A,Tj=25℃ | 3.7 | 4.2 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2.5 | 3 | 4.2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 130 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 78 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 32 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 17 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3950 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1200 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 45 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 27 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 52 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 58 | |||
| tf | 开启下降时间 | 23 |
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