MOSFET报价 插件场效应管 95V/120A 120N09 TO-220 低压国产NMOS
低压国产NMOS 120N09的产品特点：
VDS=95V
ID=120A
RDS(ON)＜7mΩ@VGS=10V(Type：5.8mΩ)
封装：TO-220
低压国产NMOS 120N09的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
低压国产NMOS 120N09的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：95V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：480A
单脉冲雪崩能量 EAS：576mJ
雪崩电流 IAS：36.4A
总耗散功率 PD：17W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：60℃/W
结到环境的热阻 RθJA：0.7℃/W
低压国产NMOS 120N09的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 95 | 100 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃ | 5.8 | 7 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 84.2 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 48.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 14.9 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3107 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1060 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 30 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20.1 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 38.9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45.1 | |||
| tf | 开启下降时间 | 22.5 |
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