宇芯微 常用MOS 80V/100A 国产贴片MOS管 100N08 TO-252 NMOS应用领域
常用MOS 100N08的特点：
VDS=80V
ID=100A
RDS(ON)＜6.8mΩ@VGS=10V(Type：5.5mΩ)
封装：TO-252
常用MOS 100N08的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
常用MOS 100N08的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：80V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：100A
漏极电流-脉冲 IDM：400A
单脉冲雪崩能量 EAS：506mJ
总耗散功率 PD：158W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：1.22℃/W
结到环境的热阻 RθJA：92℃/W
常用MOS 100N08的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 80 | 92 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=50A | 5.5 | 6.8 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 75 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 56.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 21.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3475 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 770 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 25 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 33 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 38.9 | |||
| tf | 开启下降时间 | 18.1 |
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