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5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263
5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100N03
产品封装:TO-263
产品标题:5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263 电源MOSFET 贴片场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263 电源MOSFET 贴片场效应管



30VNMOS管 100N03的产品应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



30VNMOS管 100N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:30V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:100A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:300A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:56mJ

  • 总耗散功率 PD:68W

  • 存储温度 TSTG:-55~+175℃

  • 工作结温 TJ:-55~+175℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.2℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W



30VNMOS管 100N03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3032
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


4.55.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


89.5
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
33.7
nC
Qgs栅源电荷密度

8.5


Qgd栅漏电荷密度
7.5
Ciss输入电容
1614
pF
Coss输出电容
245
Crss反向传输电容
215
td(on)开启延迟时间
7.5
ns
tr开启上升时间

14.5


td(off)关断延迟时间
35.2
tf
开启下降时间
9.6


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