5.5mΩ 30VNMOS管 100N03 TO-263 电源MOSFET 贴片场效应管
30VNMOS管 100N03的产品应用:
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
30VNMOS管 100N03的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:30V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:100A
漏极电流-脉冲 IDM:300A
单脉冲雪崩能量 EAS:56mJ
总耗散功率 PD:68W
存储温度 TSTG:-55~+175℃
工作结温 TJ:-55~+175℃
结到管壳的热阻 RθJC:2.2℃/W
结到环境的热阻 RθJA:62℃/W
30VNMOS管 100N03的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 32 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 4.5 | 5.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 8 | 9.5 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 33.7 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 8.5 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.5 | |||
Ciss | 输入电容 | 1614 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 245 | |||
Crss | 反向传输电容 | 215 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 7.5 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 14.5 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 35.2 | |||
tf | 开启下降时间 | 9.6 |