贴片MOS中文资料 80P04 TO-252 常用P沟道MOS管 大功率场效应管
大功率场效应管 80P04的产品特点：
VDS=-40V
ID=-80A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=-10V(Type：7mΩ)
封装：TO-252
大功率场效应管 80P04的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
大功率场效应管 80P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-80A
漏极电流-脉冲 IDM：-280A
单脉冲雪崩能量 EAS：500mJ
雪崩电流 IAS：-50A
总耗散功率 PD：52.1W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：2.4℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
大功率场效应管 80P04的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-12A | 7 | 10 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 9 | 15 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 20 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 27.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 6500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 790 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 605 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 40 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 35.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9.6 |
扫二维码进入手机网站