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80P02 PDFN3X3-8L 低内阻PMOS管
80P02 PDFN3X3-8L 低内阻PMOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:80P02
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:80P02 PDFN3X3-8L 低内阻PMOS管 -20/-80A MOSFET器件 MOS管引脚图
咨询热线:0769-89027776

产品详情


80P02 PDFN3X3-8L 低内阻PMOS管 -20/-80A MOSFET器件 MOS管引脚图



低内阻PMOS管 80P02的产品特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-80A

  • RDS(ON)<6mΩ@VGS=-4.5V(Type:4.8mΩ)

  • 封装:PDFN3X3-8L



低内阻PMOS管 80P02的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 电子烟



低内阻PMOS管 80P02的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20
V
VGS栅极-源极电压±12
ID

漏极电流-连续

TC=25℃

-80A

漏极电流-连续

TC=70℃

-35
IDM漏极电流-脉冲-140
PD

总耗散功率

TC=25℃

30W

总耗散功率

TC=70℃

19
RθJA结到环境的热阻83℃/W
RθJC结到管壳的热阻4.5
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



低内阻PMOS管 80P02的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


4.86
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=10A


68
VGS(th)
栅极开启电压-0.45-0.65-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
20
S
Qg栅极电荷
55
nC
Qgs栅源电荷密度

10


Qgd栅漏电荷密度
15
Ciss输入电容
3000
pF
Coss输出电容
650
Crss反向传输电容
500
td(on)开启延迟时间
15.8
ns
tr开启上升时间

76.8


td(off)关断延迟时间
193
tf
开启下降时间
186.4


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