PMOS -40V/-40A 18mΩ 40P04 PDFN3X3-8L 国产低压MOS管 MOSFET参数
国产低压MOS管 40P04的引脚图：
VDS=-40V
ID=-40A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-10V(Type：15mΩ)
国产低压MOS管 40P04的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
国产低压MOS管 40P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-40A
漏极电流-脉冲 IDM：-120A
单脉冲雪崩能量 EAS：125mJ
总耗散功率 PD：25W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：5℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
国产低压MOS管 40P04的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 15 | 18 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 9.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2760 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 260 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 85 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 48 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 24 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 88 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9.6 |
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