200VNMOS管 30N20 TO-220 插件MOSFET 电源MOS管
200VNMOS管 30N20的产品特点：
VDS=200V
ID=30A
RDS(ON)＜130mΩ@VGS=10V(Type：100mΩ)
200VNMOS管 30N20的应用领域：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
200VNMOS管 30N20的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：200V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：30A
漏极电流-脉冲 IDM：90A
单脉冲雪崩能量 EAS：340mJ
雪崩电流 IAS：20A
重复雪崩能量 EAR：8.3mJ
总耗散功率 PD：104W
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.2℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
200VNMOS管 30N20的电特性 ：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | 225 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=9A | 100 | 130 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 41 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 19.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1318 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 180 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 75 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 24 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 45 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 101 | |||
| tf | 开启下降时间 | 95 |
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