电源用MOS管 20N15 SOP-8 150V/20A 常用MOSFET 场效应管大全
电源用MOS管 20N15的产品特点:
VDS=150V
ID=20A
RDS(ON)<60mΩ@VGS=10V(Type:43mΩ)
电源用MOS管 20N15的应用领域:
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
电源用MOS管 20N15的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:150V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:20A
漏极电流-脉冲 IDM:60A
总耗散功率 PD:72.6W
结到环境的热阻 RθJA:46℃/W
存储温度 TSTG:-55~175℃
工作结温 TJ:-55~175℃
电源用MOS管 20N15的电特性:
(如无特殊说明,Tj=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 150 | 165 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 43 | 60 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 60 | 70 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨导 | 25 | S | ||
Qg | 栅极电荷 | 23 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 5.8 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.2 | |||
Ciss | 输入电容 | 1190 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 73 | |||
Crss | 反向传输电容 | 4 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 16.2 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 18.6 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 28.5 | |||
tf | 开启下降时间 | 6.5 |