15H06 SOP-8 N+N沟道MOS管 增强型场效应管 60V/15A MOSFET应用
N+N沟道MOS管 15H06的产品特点：
VDS=60V
ID=15A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V(Type：11mΩ)
N+N沟道MOS管 15H06的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
N+N沟道MOS管 15H06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：15A
漏极电流-脉冲 IDM：45A
单脉冲雪崩能量 EAS：64mJ
总耗散功率 PD：3.6W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
N+N沟道MOS管 15H06的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A | 11 | 18 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 15 | 20 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 45 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2423 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 145 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 97 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 50 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 36.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7.6 |
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