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13P06 TO-251 插件低压MOS管
13P06 TO-251 插件低压MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:13P06
产品封装:TO-251
产品标题:场效应管应用 13P06 TO-251 插件低压MOS管 PMOS管大全
咨询热线:0769-89027776

产品详情


场效应管应用 13P06 TO-251 插件低压MOS管 PMOS管大全



插件低压MOS管 13P06的引脚图:

image.png



插件低压MOS管 13P06的产品应用:

  • 无刷马达

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



插件低压MOS管 13P06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TC=25℃-13.5A
漏极电流-连续 TC=100℃-8.3
漏极电流-连续 TA=25℃-3.3
漏极电流-连续 TA=70℃-2.7
IDM漏极电流-脉冲-26
EAS单脉冲雪崩能量
29.8mJ
IAS雪崩电流-24.4A
PD总耗散功率 TC=25℃31.3W
总耗散功率 TA=25℃2
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC结到管壳的热阻4
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



插件低压MOS管 13P06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-3A


8090

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-2A


100115
VGS(th)
栅极开启电压-1.2
-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
8.5
S
Qg栅极电荷
12.1
nC
Qgs栅源电荷密度

2.2


Qgd栅漏电荷密度
6.3
Ciss输入电容
1137
pF
Coss输出电容
76
Crss反向传输电容
50
td(on)开启延迟时间
9.2
ns
tr开启上升时间
20.1
td(off)关断延迟时间
46.7
tf
开启下降时间
9.4


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